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  • 2025

    1-8

    太陽能電池特性分析與測試的幾種方法(二)3.動態(tài)伏安測量在動態(tài)I-V測量中,測量各種電壓下的電流響應(yīng),就像J-V掃描一樣。但是,在這種測量中,在記錄電流密度之前,需要等待測量值穩(wěn)定一段時間。這給出了太陽能電池性能的非常精確的表示。事實上,一項比較不同實驗室對太陽能電池測量的研究認為,這是表征鈣鈦礦太陽能電池好的方法。然而,完整的J-V掃描可能需要很長時間來測量,尤其是如果太陽能電池表現(xiàn)出動態(tài)行為。例如,使用動態(tài)I-V測量來測量鈣鈦礦太陽能電池的一條J-V曲線需要幾個小時。只有...

  • 2025

    1-7

    太陽能電池特性分析與測試的幾種方法(一)太陽光模擬器用于測量太陽能電池的效率。為了表征太陽能電池在現(xiàn)實世界中的表現(xiàn),使用有效模擬太陽光譜的太陽光源至關(guān)重要。當(dāng)然,你可以使用真正的陽光,但是這會引入一些不可控的變量。為了可靠地測試太陽能電池,你需要在實驗室內(nèi)保持受控的條件。此外,許多太陽能電池的材料在早期的開發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因,當(dāng)在實驗室環(huán)境中測試太陽能電池時,你應(yīng)該使用太陽光模擬器來重現(xiàn)太陽的輻照度。為了表征太陽能電池,太陽光模擬器需要滿足關(guān)于時間穩(wěn)定性、光...

  • 2024

    12-31

    如何選擇紫外臭氧清洗機?今天的主角是我們的一款簡易的紫外臭氧清洗機。來自其他制造商的紫外臭氧清潔機可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會被誤認為是更有效的性能。但是,在您的實驗設(shè)置中評估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機本著簡單高效的理念構(gòu)建,提供了一個有效工作的模型,沒有不必要的、復(fù)雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過150°C,材料的溫度越高,紫外臭氧清洗的反應(yīng)速度越快。因此,提高襯底的溫度可以促進更快的清洗速率。為此,一些系統(tǒng)將可加熱的樣品...

  • 2024

    12-26

    氮化硼封裝對2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響(下)結(jié)果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過程中,2D材料或異質(zhì)結(jié)構(gòu)可能會遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線)通量。然而,離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里,我們研究了h-BN,MoS2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在Ar+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的,因為氬由于其固有的惰性不會與樣品形成化學(xué)鍵。氬也是一種足夠重的離子,可以提供足夠的動能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品...

  • 2024

    12-26

    二維(2D)過渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學(xué)、電子學(xué)、催化和能量存儲方面的應(yīng)用是研究的熱點。當(dāng)封裝在沒有電荷無序的環(huán)境中時,它們的光學(xué)和電子性質(zhì)可以顯著增強。因為六方氮化硼(h-BN)是原子級薄的、高度結(jié)晶的并且是強絕緣體,所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報告中,我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件制造和后處理過程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這...

  • 2024

    12-26

    石墨烯通常通過化學(xué)氣相沉積(CVD)在生長基底上沉積,然后轉(zhuǎn)移到適合其特定應(yīng)用的目標(biāo)基底上。等離子體處理可用于支持和促進各種石墨烯轉(zhuǎn)移方法。介紹石墨烯是一種具有六方晶體結(jié)構(gòu)的單原子碳層,由于其許多DT的材料特性,在過去幾十年中受到了廣泛的研究。憑借其高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性、近乎光學(xué)的透明度和高機械強度,石墨烯被認為是一種非常通用的二維材料,可用于廣泛的應(yīng)用,包括能源儲存、光學(xué)顯示和傳感器[1-3]。生產(chǎn)石墨烯的常見方法是CVD,使用碳氫化合物氣體或含碳前體與催化襯底(如銅銅箔)結(jié)合...

  • 2024

    12-26

    氧化鋅(ZnO)是一種令人興奮的可替代寬帶隙半導(dǎo)體,在傳感器和柔性電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景。等離子體處理可用于為氧化鋅沉積準(zhǔn)備表面,通過去除有機雜質(zhì)和表面改性改善電性能,并促進氧化鋅器件的制造。介紹氧化鋅是一種寬帶隙半導(dǎo)體,具有與氮化鎵(GaNIII-V)半導(dǎo)體相似的電氣和物理特性。由于鋅含量相對豐富且能夠在低溫下沉積氧化鋅,因此氧化鋅作為氮化鎵的低成本替代品更具有吸引力,可用于發(fā)光二極管(LED)、光電子學(xué)和柔性電子學(xué)。此外,氧化鋅在可見光譜中是光學(xué)透明的,通過適當(dāng)?shù)膿?..

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