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等離子去膠機(jī)是我們?cè)谖⒉ǖ入x子處理工藝中的新產(chǎn)品。該批次式晶圓灰化設(shè)備成本低廉、尺寸適中，特別適用于工廠、科研院所等領(lǐng)域。等離子去膠機(jī)操作規(guī)程：1、自動(dòng)切割小車應(yīng)經(jīng)空車運(yùn)轉(zhuǎn)，并選定切割速度；2、使用釷、鎢電極應(yīng)符合JGJ33-2001第12.7.8條規(guī)定；3、高頻發(fā)生器應(yīng)設(shè)有屏蔽護(hù)罩，用高頻引弧后，應(yīng)立即切斷高頻電路；4、應(yīng)檢查并確認(rèn)電源、氣源、水源無(wú)漏電、漏氣、漏水，接地或接零安全可靠；5、操作人員應(yīng)站在上風(fēng)處操作?？蓮墓ぷ髋_(tái)下部抽風(fēng)，并宜縮小操作臺(tái)上的敞開(kāi)面積；6、小車、...

等離子刻蝕機(jī)一般應(yīng)用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，而等離子清洗機(jī)則一般應(yīng)用于材料領(lǐng)域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學(xué)。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如，大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性（水接觸角小于30度），并增加表面潤(rùn)濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(xué)（表面性質(zhì)），如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料，材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化，引入了多種...

PDMS是一種有機(jī)聚合物材料，廣泛應(yīng)用微流控芯片實(shí)驗(yàn)室。今天我們來(lái)介紹有關(guān)如何進(jìn)行PDMS光刻復(fù)制，也稱為軟光刻工藝，為您提供一些實(shí)驗(yàn)中的小技巧，優(yōu)化您的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。01硅烷化模具的制備*使用模具時(shí)，必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強(qiáng)的親水性，因此PDMS對(duì)它有良好的親和力，其強(qiáng)度足以使之無(wú)法剝離，只能將模具破壞并從頭開(kāi)始實(shí)驗(yàn)。這里我們使用硅烷功能，一旦在表面上yongjiu粘合，也可使接觸角超過(guò)90°，表面疏水。可以使用氣體或液體處理，即通過(guò)氣體或連續(xù)的液浴將硅烷功...

懸浮活性硅膜厚度測(cè)量，適用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用，光斑尺寸為25um。簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量...

懸浮活性硅膜厚度測(cè)量，適用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用，光斑尺寸為25um。簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量...

旋涂曲線（spincurve）是光刻膠重要參數(shù)之一，他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導(dǎo)意義。所以我們來(lái)介紹一下什么是旋涂曲線？怎樣使用旋涂曲線？如何獲得旋涂曲線？什么是光刻膠旋涂曲線？顧名思義，光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下，光刻膠的厚度與勻膠轉(zhuǎn)速的關(guān)系曲線。一般來(lái)說(shuō)，某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會(huì)有一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的膜厚值。這個(gè)厚度隨著勻膠轉(zhuǎn)速的提高而降低。下圖是一個(gè)典型的光刻膠旋涂曲線：影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有：光刻膠種類和固含量：一般來(lái)說(shuō)，固含量越大，相...

納米制造使用光刻工藝(193nm，EUV，EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關(guān)的處理步驟，以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對(duì)比曲線是工藝優(yōu)化常用的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對(duì)比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度，作為對(duì)數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測(cè)量方法:在本篇應(yīng)用案例中，使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對(duì)負(fù)性抗蝕劑進(jìn)行曝光，生成100×100μm正方形的陣列，每個(gè)正方形對(duì)應(yīng)不同的曝光劑量。在顯影步驟之后，使用FR-μ探針顯微光譜儀工...